GPR|2 штуки FGA60N65SMD транзистор, IGBT, 650В, 60А

2 штуки FGA60N65SMD транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 60А .


Технические параметры

Технология/семейство field stop

Наличие встроенного диода да

Максимальное напряжение КЭ ,В 650

Максимальный ток КЭ при 25°C, A 120

Импульсный ток коллектора (Icm), А 180

Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.5

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 600

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 18

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 104

Рабочая температура (Tj), °C -55…+175

Корпус TO-3PN Вес, г 6.5