Наименование прибора: IRF840
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 C
Общий заряд затвора (Qg): 63 nC
Выходная емкость (Cd): 1500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm

• Количество предметов в упаковке: 1
• Страна производства: Китай
• Вес товара с упаковкой (г): 50 г
• Вес товара без упаковки (г): 1 г
• Длина упаковки: 15 см
• Высота упаковки: 2 см
• Ширина упаковки: 10 см