Микросхема FQP50N06L MOSFET 60V 50A (5 штук)

Транзистор полевой N-канальный 60В 50A

Наименование прибора: FQP50N06L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 121 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 52 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 24.5 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.021 Ohm

Тип корпуса: TO220

• Модель: FQP50N06L
• Тип радиодетали: транзистор
• Материал изделия: кремний