Микросхема FHP640 MOSFET (2 штуки)

Наименование прибора: FHP640A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 150 ns
Выходная емкость (Cd): 175 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO-220 (A)

• Модель: FHP640A
• Тип радиодетали: MOSFET
• Материал изделия: кремний