Semiconductor|FGA25N120ANTD IGBT транзистор для печи индукционной

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) для ремонта электропечей, микроволновых печей.

1200В 25А

Используя фирменную конструкцию Fairchild и передовую технологию NPT, NPT IGBT на 1200 В обеспечивает превосходную проводимость и коммутационные характеристики, высокую лавинообразную прочность и простоту параллельного управления. Это устройство хорошо подходит для применения в системах резонансного или мягкого переключения, таких как индукционный нагрев, микроволновая печь.

Напряжение кэ: 1200 V
Максимальный ток кэ при 25гр. С: 50 A
Максимальный ток кэ при 100гр. С: 25 A
Мощность максимальная: 312 W
Управляющее напряжение: 2.0 V
Структура: N-канал с диодом
Корпус: TO-3PN
Маркировка: FGA25N120ANTD

• Модель: FGA25n120
• Тип радиодетали: транзистор
• Материал изделия: кремний
• Количество предметов в упаковке: 1 шт.
• Цвет: черный
• Страна производства: Тайвань
• Вес товара с упаковкой (г): 10 г
• Вес товара без упаковки (г): 5 г
• Комплектация: один транзистор
• Длина упаковки: 11 см
• Высота упаковки: 1 см
• Ширина упаковки: 7 см