Транзистор FGL60N100BNTD

Маркировка G60N100BNTD
Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
Технические параметры
Технология/семейство npt trench
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1000
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
Импульсный ток коллектора (Icm), А 120
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.9
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 180
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 140
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 630
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-264
Вес, г 10

• Модель: Транзистор FGL60N100BNTD
• Тип радиодетали: Транзистор FGL60N100BNTD
• Количество предметов в упаковке: 1
• Цвет: черный
• Страна производства: Китай
• Вес товара с упаковкой (г): 50 г
• Вес товара без упаковки (г): 1 г
• Длина упаковки: 15 см
• Высота упаковки: 2 см
• Ширина упаковки: 10 см