Микросхема FQP50N06 MOSFET 60V 50A (20 штук)

Транзистор полевой N-канальный 60В 50A

Наименование прибора: FQP50N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Общее описание N-канального MOSFET-транзистора FQP50N0660V Эти N-канальные транзисторы с полевым эффектом в режиме усиления мощности производятся с использованием запатентованной компанией Fairchild технологии DMOS с плоской полосой.Эта передовая технология была специально разработана для минимизации сопротивления во включенном состоянии, обеспечения превосходной производительности переключения и выдерживания импульсов высокой энергии в режиме аваланса и коммутации. Эти устройства хорошо подходят для низковольтных применений, таких как автомобилестроение, преобразователи постоянного тока и высокоэффективная коммутация для управления питанием в портативных устройствах и устройствах с батарейным питанием.
Особенности
• 50А, 60В, RDS (вкл.) = 0,022 Ом при VGS = 10 В• Низкий заряд затвора (типичный 31 нК)• Низкий Crss (типичный 65 пФ)• Быстрое переключение• 100% лавинообразное тестирование • Улучшенные возможности dv /dt * максимальная температура соединения 175°C

• Модель: FQP50N06
• Тип радиодетали: транзистор
• Материал изделия: кремний