SemiconductorsDiscrete SemiconductorsTransistorsMOSFET
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) 25ВC150A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta25ВC)130W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance3mО 20A,10V
Transistor PolarityN Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30V
Vgs - Gate-Source Voltage2.5V250uA

• Модель: Транзистор NCE30H15
• Тип радиодетали: Транзистор NCE30H15
• Количество предметов в упаковке: 1
• Страна производства: Китай
• Вес товара с упаковкой (г): 50 г
• Вес товара без упаковки (г): 1 г
• Длина упаковки: 15 см
• Высота упаковки: 2 см
• Ширина упаковки: 10 см